DDR5内存标准于2020年7月正式敲定,AMD Ryzen7000(“Raphael”)和英特尔酷睿13000(“Alder Lake”)正式敲定,在过去两年里才真正开始在台式机上缓慢取代其前身DDR4,但即将推出的DDR6内存已经在敲门。
我们可以从新的DDR6内存标准中期待什么–我们已经掌握了哪些可靠的信息?我们将告诉您并为您提供关于PC、服务器和笔记本电脑中的下一代RAM的可靠背景知识。
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DDR6应达到12,800 MT/S+
三星在2021年科技日上谈到了DDR6及其发展阶段DDR6+,并透露了关于即将推出的内存标准的许多有趣的细节。
如果以JEDEC官方批准的速度为基准,DDR5的最大数据速率比DDR4翻了一番,从3400MT/S增加到6400MT/S。三星预计DDR6也会有类似的增长,它的运行速度将高达12,800MT/S,与DDR6-12800一样。
应该注意的是,这些只是JEDEC指定的官方标准速度,超频(OC)模块可能远远超过这些速度。
因此,带有严格选择的内存模块(“IC”)的内存条应该能够实现DDR6-16800,最多可使用16,800 MT/S作为OC模块。
在纯存储器速度方面,DDR存储器标准的发展将如下:
由于从DDR5更改为DDR6所关联的内存速度显著提高,内存带宽也显著增加。
DDR6有四个内存通道
使用DDR6时,每个模块的内存通道数设置为四个,与DDR5相比再次翻了一番。内存条的数量也增加了两倍,达到64个,这意味着与DDR4相比增加了四倍。
在内存带宽的跨代比较中,DDR6将再次显著增加:
DDR最高3.2 GB/S
DDR2最高8.5 GB/S
DDR3最高17.0 GB/S
DDR4最高28.8 GB/S
DDR5最高可达67.2 GB/S
DDR6最高134.4 GB/S+
因此,在目前的情况下,可以假设最快的DDR6内存模块将能够提供至少134.4 GB/S的内存带宽,而OC模块提供显著更高的每秒内存吞吐量。
功能更多,电压更低
随着从DDR4切换到DDR5,新一代内存的功能集将再次大幅扩展。三星、美光、南亚、SK海力士等所有相关DRAM芯片制造商都已经透露了这一点。
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除了进一步改进的PMIC(电源管理IC),用于监控存储模块的能量管理,以及进一步降低的电源电压(VDIMM),用于奇偶校验和纠错的ECC功能也将进一步扩展。
DDR6将于2024/25年度推出
三星已经宣布,它目前正在与DRAM和SoC制造商圈中的其他JEDEC成员一起敲定DDR6内存标准。根据制造商的说法,这预计在2024年,但不晚于2025年。
新的DDR6内存将庆祝其在专业企业领域的首次亮相,预计将首次与2025年老款的服务器CPU一起使用。
另一方面,韩国半导体制造商SK Hynix的首席工程师预计开发阶段会更长一些,并预计在2025年底之前不会推出广泛的市场。
这篇文章是从德语翻译成英语的,最初发表在pcWelt.de上。
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