英特尔：我们的3D V-缓存技术将采用与AMD不同的方法

英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格表示，英特尔正在准备自己的芯片堆叠技术，以对抗AMD的3D V-CACHE技术。

但不要指望英特尔会采取与AMD相同的芯片堆叠方法，AMD一直在使用这项技术，在某些专注于游戏的Ryzen处理器上基本上将L3缓存翻了一番。额外的内存可以提高PC上的游戏帧速率，尽管有时会产生更多热量，正如我们的测试所发现的那样。

今天在圣何塞举行的英特尔创新活动上，当被问及英特尔是否会采用3D V-CACHE系统在其芯片芯片上堆叠额外的内存时，盖尔辛格说：“当你在这里提到V-CACHE时，你说的是台积电[AMD的芯片制造商]对其一些客户所做的一项非常具体的技术。显然，我们的做法是不同的，对吗？

英特尔没有计划在该公司的Meteor Lake处理器上使用类似3D V缓存的技术，该处理器将于12月推出。但在我们的路线图中，你会看到3D硅的想法，我们将在一个芯片上拥有缓存，对吗？然后，我们将在堆叠的芯片上进行CPU计算，并在上面进行计算。

这听起来与AMD不同，AMD一直在使用芯片堆叠技术在其CPU芯片上放置额外的内存。根据盖尔辛格的说法，英特尔想要做的恰恰相反，将CPU堆叠在内存之上。

尽管英特尔首席执行官没有透露细节，但他表示，该公司计划使用EMIB和Foveros工艺垂直连接芯片芯片，使芯片能够在单一封装中进行通信。他补充说：“因此，我们拥有先进的下一代内存架构能力，这让我们感觉非常好。”

根据盖尔辛格的说法，英特尔计划通过与台积电竞争的英特尔不断增长的代工业务，为公司自己的CPU和客户提供芯片堆叠方法。但他没有透露何时推出，因此可能需要数年时间才能成为现实。